TECHNOLOGY R & D
主要包括慢化器、反射體、準(zhǔn)直器、熱中子吸收層和γ屏蔽層等，中子源產(chǎn)生的快中子束流慢化至超熱中子能區(qū) (0.5eV < E < 10 keV),并盡可能減弱快中子、熱中子和γ射線的成分,同時保證中子的方向性。
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